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FTIR Investigation of C-implanted Amorphous SiO2 after 308 MeV Xe-ion Irradiation
FTIR Investigation of C-implanted Amorphous SiO2 after 308 MeV Xe-ion Irradiation
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摘要：
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木材-纳米SiO2气凝胶复合材料结构的FTIR表征
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介电系数
介电损耗
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
| 篇名 | FTIR Investigation of C-implanted Amorphous SiO2 after 308 MeV Xe-ion Irradiation | ||
| 来源期刊 | 近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报：英文版 | 学科 | 化学 |
| 关键词 | 二氧化硅薄膜 碳掺杂 氙 离子照射 光谱分析 | ||
| 年，卷（期） | 2006,（1） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 63 | |
| 页数 | 1页 | 分类号 | O613.72 |
| 字数 | 语种 | 中文 | |
| DOI | |||
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二氧化硅薄膜
碳掺杂
氙
离子照射
光谱分析
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期刊影响力
近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报：英文版
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年刊
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兰州31号信箱中国科学院近代物理研究所出版发行社社址:北京市海淀区阜成路43号(100037)
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1640
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