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XRD Investigation of Ti/c-SiO2 Interface after Pb-ion Irradiation
XRD Investigation of Ti/c-SiO2 Interface after Pb-ion Irradiation
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摘要：
推荐文章
采用Ag-Cu-Ti钎料真空钎焊SiO2f/SiO2复合陶瓷与C/C复合材料
SiO2f/SiO2复合陶瓷
C/C复合材料
Ag-Cu-Ti
界面反应层
抗剪强度
SiO2f/SiO2复合材料与TC4,Ti3Al和TiAl的钎焊
SiO2f/SiO2复合材料
AgCuTi
TC4
Ti3Al
TiAl
考虑C-SiO2反应的新型硅基材料烧蚀分析模型
复合材料
烧蚀
化学反应
气体组分浓度
数值模拟
树脂含量
Al-TiO2-C-Ti-Fe体系反应过程研究
燃烧合成
Al-TiO2-C-Ti-Fe体系
反应动力学
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
| 篇名 | XRD Investigation of Ti/c-SiO2 Interface after Pb-ion Irradiation | ||
| 来源期刊 | 近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报：英文版 | 学科 | 化学 |
| 关键词 | 钛 碳 二氧化硅 铅离子照射 磁电管反应溅射法 | ||
| 年，卷（期） | 2006,（1） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 64 | |
| 页数 | 1页 | 分类号 | O613.72 |
| 字数 | 语种 | 中文 | |
| DOI | |||
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研究主题发展历程
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钛
碳
二氧化硅
铅离子照射
磁电管反应溅射法
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期刊影响力
近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报：英文版
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出版周期：
年刊
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出版地：
兰州31号信箱中国科学院近代物理研究所出版发行社社址:北京市海淀区阜成路43号(100037)
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1640
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