温度对CVD制备Ti-Si-C涂层中Ti3SiC2形成规律的影响

• 作者: 李国栋 杨钢宜 熊翔 王雅雷 王骏
• 来源期刊: 粉末冶金材料科学与工程
• 关键词: 化学气相沉积 Ti-Si-C Ti3SiC2 共沉积 温度
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 所属期刊栏目: 工艺技术
• 页码范围: 797-804
• 页数: 8页
• 分类号: TB332
• 语种: 中文

摘要

采用TiCl4-CH3SiCl3-H2-Ar反应体系，低压化学气相共沉积(LPCVD)Ti-Si-C三元体系涂层。采用XRD、SEM、EDS和EPMA分析在1100~1250℃不同温度下制备的涂层物相组成和形貌结构。结果表明：1100℃时形成TiC涂层，无Ti3SiC2相；1150~1250℃时形成TiC与Ti3SiC2复合涂层。当沉积温度为1200℃时，Ti3SiC2晶粒沿á104?方向择优生长，而在1150℃和1250℃沉积时，择优取向不明显。1150℃时涂层为多孔细柱和颗粒堆积嵌合结构，当温度为1200~1250℃时，涂层分为两层，内层过渡层为柱状晶结构，主要成分为TiC；外层为TiC相与Ti3SiC2相复合的板条错堆状结构。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	熊翔	中南大学粉末冶金国家重点实验室	345	3793	27.0	39.0
2	李国栋	中南大学粉末冶金国家重点实验室	53	255	9.0	11.0
3	王雅雷	中南大学粉末冶金国家重点实验室	21	79	5.0	7.0
4	杨钢宜	中南大学粉末冶金国家重点实验室	2	11	2.0	2.0
5	王骏	中南大学粉末冶金国家重点实验室	2	7	2.0	2.0