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摘要:
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锗硅外延工艺优化对28nm PMOS器件性能的改善
锗硅外延
薄膜堆叠层
器件性能
PMOS器件
高硅含锗物料中锗的提取工艺探讨
酸浸
氢氟酸
锗
回收
富锗灵芝中锗的提取方法及其分布的研究
富锗灵芝(Ganoderma lucidum)
有机锗
提取方法
分布
富锗煤烟灰中的锗含量测定
ICP-AES
煤烟灰
锗
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 性能优异的锗
来源期刊 四川地质学报 学科
关键词
年,卷(期) 2006,(4) 所属期刊栏目 报道
研究方向 页码范围 213
页数 1页 分类号
字数 784字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1006-0995.2006.04.015
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
四川地质学报
季刊
1006-0995
51-1273/P
大16开
成都市人民北路一段25号国土资源厅综合楼
1980
chi
出版文献量(篇)
2718
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3
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