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CMOS低压差集成稳压器的设计
CMOS低压差集成稳压器的设计
作者:
李书艳
李和太
李庆奎
马建军
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
互补金属氧化物半导体
低功耗
低压差
集成稳压器
短路保护
摘要:
CMOS低压差集成稳压器是为便携式电子产品的需要而设计的一种低功耗、低压差集成稳压器.采用CMOS串联式集成稳压电路,内设过流保护电路、过热保护电路.给出了设计电路并分析了工作原理.采用CSMC 0.5μm工艺模型,利用Hspice对电路进行了仿真,仿真结果为:输出电压3.3V,最大输出电流300mA,最大静态电流80μA,当输出电流为300mA时,压差为150mV,满足低功耗,低压差集成稳压器的要求.
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集成电路
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低功耗自适应偏置无片外电容低压差稳压器
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自适应偏置
一种用于FBAR环境信号检测芯片的全集成低压差线性稳压器电路
片上LDO
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内容分析
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相关学者/机构
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内容分析
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(/次)
(/年)
文献信息
篇名
CMOS低压差集成稳压器的设计
来源期刊
沈阳工业大学学报
学科
工学
关键词
互补金属氧化物半导体
低功耗
低压差
集成稳压器
短路保护
年,卷(期)
2006,(5)
所属期刊栏目
信息科学与工程
研究方向
页码范围
549-552
页数
4页
分类号
TM44
字数
1848字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1000-1646.2006.05.017
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
李书艳
辽宁工程技术大学电子与信息工程系
6
9
2.0
2.0
2
李和太
沈阳工业大学信息科学与工程学院
10
48
4.0
6.0
传播情况
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引文网络
引文网络
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研究主题发展历程
节点文献
互补金属氧化物半导体
低功耗
低压差
集成稳压器
短路保护
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
沈阳工业大学学报
主办单位:
沈阳工业大学
出版周期:
双月刊
ISSN:
1000-1646
CN:
21-1189/T
开本:
大16开
出版地:
沈阳市铁西区南十三路1号
邮发代号:
8-165
创刊时间:
1964
语种:
chi
出版文献量(篇)
2983
总下载数(次)
5
总被引数(次)
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