高频红外碳硫仪测定碳化硅中的SiC

• 作者: 常相征 张亚丽 郑迅燕
• 来源期刊: 化学工程师
• 学科: 工学
• 关键词: 预处理 合成标准样品 红外吸收法 SiC
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 分析测试
• 页码范围: 36-37
• 页数: 2页
• 分类号: TQ163
• 字数: 1630字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-1124.2006.05.014

摘要

对试样进行灼烧预处理,除去挥发分和游离C.用纯SiC和纯SiO2合成标准样品校正仪器,用锡粒、纯铁、钨粒作为助熔剂,高频燃烧红外吸收法测定碳化硅中的SiC.该法简便,准确可靠,实际样品分析结果满意.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑迅燕		1	6	1.0	1.0
2	常相征		1	6	1.0	1.0
3	张亚丽		1	6	1.0	1.0