2D C/SiC复合材料阻尼性能研究

• 作者: 张立同 徐永东 成来飞 武文明 王炜
• 来源期刊: 固体火箭技术
• 学科: 工学
• 关键词: 2D C/SiC复合材料 阻尼性能 CVI工艺
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 材料工艺
• 页码范围: 455-459
• 页数: 5页
• 分类号: TB332
• 字数: 3296字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-2793.2006.06.016

摘要

测试了CVI工艺制备的2D C/SiC复合材料的阻尼性能,讨论了其阻尼机制,分析了涂层、测试频率和热处理等因素对其阻尼峰的影响.结果表明,2D C/SiC复合材料的阻尼峰值可达1.86×10-2,其阻尼机制主要为微裂纹扩展、增强纤维阻尼及界面阻尼;SiC涂层可大幅度降低2D C/SiC复合材料的阻尼性能,消除阻尼特性曲线上的阻尼峰;2D C/SiC复合材料阻尼峰随加载频率的升高而降低;高温热处理使2D C/SiC复合材料阻尼峰降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	成来飞	西北工业大学超高温结构复合材料国防科技重点实验室	259	2656	22.0	40.0
2	张立同	西北工业大学超高温结构复合材料国防科技重点实验室	248	2867	24.0	42.0
3	徐永东	西北工业大学超高温结构复合材料国防科技重点实验室	131	1982	23.0	37.0
4	武文明	西北工业大学超高温结构复合材料国防科技重点实验室	2	29	2.0	2.0