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摘要:
英特尔公司2006年1月26日宣布,该公司已经生产据信是全球第一片采用纳米(nm)工艺技术制造的全功能静态随机存取内存(static random access memory,SRAM)芯片.
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模块
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篇名 英特尔率先推出45纳米测试芯片
来源期刊 中国计算机学会通讯 学科
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年,卷(期) 2006,(2) 所属期刊栏目 技术创新
研究方向 页码范围 21
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字数 语种 中文
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