金属有机化学气相沉积生长的GaN膜中V缺陷研究

• 作者: 刘彩池 张帷 朱军山 滕晓云 赵丽伟 郝秋艳
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: GaN V缺陷 湿法化学腐蚀 六角腐蚀坑
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 38-42
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 1628字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2006.01.009

摘要

利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在Si(111)衬底上外延生长不同厚度的GaN.外延层薄的GaN表面存在大量的V缺陷,并且V缺陷的两侧有相互平行的带状高坡;外延层厚的GaN表面没有V缺陷,表面平整且晶体质量高.位错处存在晶格畸变,杂质易于在此处聚集,达到一定浓度就会抑制晶体在此处生长而形成V缺陷.受位错附近应力场与气流的影响,V缺陷两侧出现带状高坡.生长时间延长,GaN表面的V缺陷就会被填满,带状高坡横向生长合并成为平整的表面.用m(KOH)∶m(H2O)＝1∶10的KOH溶液腐蚀后,平整的表面出现六角腐蚀坑,密度与原生坑密度相近,认为是原生坑被填满的位置腐蚀后再次出现.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵丽伟		1	1	1.0	1.0
2	滕晓云		1	1	1.0	1.0
3	郝秋艳		1	1	1.0	1.0
4	朱军山		1	1	1.0	1.0
5	张帷		1	1	1.0	1.0
6	刘彩池		1	1	1.0	1.0