LBO晶体上1064 nm,532 nm二倍频增透膜的设计及误差分析

• 作者: 占美琼 范正修 谭天亚 邵建达 黄建兵
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 物理学
• 关键词: 薄膜 增透膜 二倍频 矢量合成法 LBO晶体 误差分析 过渡层
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 242-247
• 页数: 6页
• 分类号: O484
• 字数: 3810字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0258-7025.2006.02.021

摘要

采用矢量合成法设计了LiB3O5(LBO)晶体上1064 nm,532 nm二倍频增透膜,在1064 nm处的反射率为0.0014%,532 nm处的反射率为0.0004%.根据误差分析,薄膜制备时沉积速率精度控制在+6.5%时,1064 nm处的反射率增加至0.22%,532 nm处增加至0.87%.材料折射率的变化控制在+3%时,1064 nm处的反射率达0.24%,532 nm处达0.22%.沉积速率和折射率控制的负变化不增大特定波长处的剩余反射率.与膜层折射率相比,薄膜物理厚度对剩余反射率的影响小.低折射率膜层的厚度变化对特定波长处的剩余反射率影响最明显,即为该膜系的敏感层.为改善膜基之间的附着力,选择Y2O3或SiO2作为过渡层,从过渡层的厚度匹配和膜层的折射率匹配两方面进行了相应的膜系匹配设计.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邵建达	中国科学院上海光学精密机械研究所光学薄膜技术研发中心	212	2131	21.0	29.0
2	范正修	中国科学院上海光学精密机械研究所光学薄膜技术研发中心	203	2312	23.0	32.0
3	黄建兵	中国科学院上海光学精密机械研究所光学薄膜技术研发中心	16	131	6.0	11.0
4	谭天亚	中国科学院上海光学精密机械研究所光学薄膜技术研发中心	4	60	4.0	4.0
8	占美琼	中国科学院上海光学精密机械研究所光学薄膜技术研发中心	6	85	5.0	6.0