不同的制作方法对ZnO-TTFT光学特性的影响

• 作者: 孙小斌 张福俊 徐征 王勇 袁广才 许洪华
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 薄膜晶体管 ZnO薄膜 透过率 快速热退火
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 页码范围: 510-514
• 页数: 5页
• 分类号: TN327.5|TQ050|TB742|O484.4
• 字数: 2409字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2006.05.022

摘要

采用磁控溅射和电子束热蒸发方法制备了ZnO-TTFT(ZnO基透明薄膜晶体管)器件,通过XRD和透射光谱对两种不同制作方法的样品性质进行分析比较,得出采用溅射法制备的ZnO-TTFT器件有源层的ZnO薄膜从结晶化程度、表面粗糙度及透过率都较采用电子束蒸发制得的ZnO薄膜优异,制得器件的有源层有较好的c-axis(002)方向择优取向,器件的平均透过率在85 %以上.研究了退火处理对器件性能的影响,发现快速热退火有利于改善薄膜的晶化,降低缺陷态密度,提高器件的透光性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	许洪华	辽宁大学物理系	4	34	2.0	4.0
2	张福俊		5	13	2.0	3.0
3	徐征		12	89	6.0	9.0
4	袁广才		4	35	2.0	4.0
5	王勇		3	6	1.0	2.0