ZnO-B2O3-SiO2系统低介陶瓷的烧结工艺研究

• 作者: 吴纬 庞京涛 郑金标
• 来源期刊: 硅酸盐通报
• 学科: 工学
• 关键词: 低介电陶瓷 烧结工艺 ZnO-B2O3-SiO2系统
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 专题论文
• 页码范围: 25-28
• 页数: 4页
• 分类号: TQ17
• 字数: 1722字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-1625.2006.03.006

摘要

通过热分析确定基本的的烧结温度制度,并且调整烧结工艺参数使粉料在不同的条件下进行烧结,通过对烧成后的样品的表观性能、介电性能和微观结构的分析,探讨了不同烧结制度对于ZnO-B2O3-SiO2系统的介电性能的影响.结果表明:该陶瓷系统致密化过程主要发生在900～1050℃之间,采用最高烧结温度1050℃,保温时间为60min,快速冷却(-20℃/min)的工艺烧成的陶瓷,致密性好,晶粒分布均匀且粒径大小适中,具有良好的介电性能(εr=4.75,tgσ=0.001,1MHz).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑金标	华东理工大学无机材料学院	16	119	6.0	10.0
2	吴纬	华东理工大学无机材料学院	3	14	2.0	3.0
3	庞京涛	华东理工大学无机材料学院	1	3	1.0	1.0