双频段接收机中的BiFET低噪声放大器

• 作者: 俞惠 李勇 石春琦 许永生 赖宗声 金玮 陶永刚
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 低噪声放大器 射频芯片 BiFET 结构 双频段接收机 ISM频段
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 页码范围: 37-40
• 页数: 4页
• 分类号: TN722.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2006.01.011

摘要

设计了一种采用BiFET结构的低噪声放大器(LNA),这种结构通过BiCMOS工艺使低噪声放大电路集合了双极型晶体管的低噪声特性和CMOS晶体管的高线性度.应用优化的BiFET Cascode共源共栅结构能够明显地提高低噪声放大器的性能,并且能应用于两个不同频率.本文设计的低噪声放大器在低偏置电流(1.7 mA)和低功耗(5.7 mW)的情况下能取得1.69 dB的噪声系数、15.96 dB的电压增益、-8.5 dBm的IIP3和-67 dB的反向隔离. 设计的BiFET低噪声放大器是采用了AMS 0.8 μm 的BiCMOS混合信号工艺,经过优化可以用于工业、室内的远程无线控制系统包括无线门禁系统.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赖宗声	华东师范大学微电子电路与系统研究所	136	779	13.0	18.0
2	石春琦	华东师范大学微电子电路与系统研究所	46	133	7.0	9.0
3	许永生	华东师范大学微电子电路与系统研究所	7	23	2.0	4.0
4	陶永刚	华东师范大学微电子电路与系统研究所	5	7	2.0	2.0
5	李勇	华东师范大学微电子电路与系统研究所	19	90	5.0	9.0
6	俞惠	华东师范大学微电子电路与系统研究所	4	20	2.0	4.0
7	金玮	华东师范大学微电子电路与系统研究所	4	5	1.0	1.0