PCVD低水峰光纤的制备与性能

• 作者: 张树强 罗杰 谢康 韩庆荣
• 来源期刊: 光通信技术
• 学科: 工学
• 关键词: PCVD低水峰光纤 PCVD工艺 ITU-T G.652.C/D IEC 6079 3-2-50 B.1.3
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 光纤材料及其制造工艺
• 页码范围: 56-58
• 页数: 3页
• 分类号: TN929.11
• 字数: 1913字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-5561.2006.05.019

摘要

介绍了PCVD低水峰光纤生产工艺和其材料组成、结构及性能,在生产普通单模光纤的基础上,通过优化PCVD工艺,成功抑制了普通单模光纤在1383nm由于羟基(OH)吸收造成的水峰损耗.光纤中功能梯度的芯层和光学包层、高纯均匀的机械包层和性能优越的双层涂覆层,使PCVD低水峰光纤各项性能指标全面达到或优于最严格的ITU-T G.652.C/D和IEC6079 3-2-50 B.1.3光纤标准要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张树强	长飞光纤光缆有限公司研发部	7	13	2.0	3.0
2	罗杰	长飞光纤光缆有限公司研发部	14	41	4.0	5.0
3	韩庆荣	武汉理工大学材料学院	6	59	4.0	6.0
4	谢康	长飞光纤光缆有限公司研发部	4	11	2.0	3.0