SiGe／Si和SGOI材料的Li离子束RBS分析

• 作者: 刘超 李建平 王广甫
• 来源期刊: 中国材料科技与设备
• 学科: 工学
• 关键词: SIGE合金 RBS分析 SGOI
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 页码范围: 61-63
• 页数: 3页
• 分类号: TN322.8

摘要

SiGe合金薄膜中的Ge含量度分布对材料的禁带宽度和制作器件的性能有十分重要的影响。本文用Li离子束卢瑟福背散射分析法对SiGe／Si和SiGe-OI材料样品进行了分析。与TEM，SEM、Raman等分析结果进行比较表明，Li离子束RBS分析可同时测量SiGe层厚度，Ge含量度其深度分布，Si过渡层和SiO2层厚度，并有较好的测量精度。