小数N频率合成器中模拟相位内插模型设计

• 作者: 刘祖深 王积勤
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 小数分频器 模拟相位内插 补偿技术
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 页码范围: 160-164
• 页数: 5页
• 分类号: TN742
• 字数: 3867字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2006.01.037

摘要

介绍了小数N频率合成器中模拟相位内插技术,分析了小数分频产生的尾数调制、剩余相差和相位误差补偿模型.给出了补偿技术应用于小数N频率合成器中的方法、实际应用中的关键点以及模拟相位内插实验结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘祖深		6	35	5.0	5.0
2	王积勤		50	535	9.0	22.0