几个小分子静电势的密度泛函理论计算

• 作者: 王东来 翟玉春
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 密度泛函理论 静电势 均方根偏差 静电势图
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 772-776
• 页数: 5页
• 分类号: O56
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2006.04.038

摘要

运用多种密度泛函理论(DFT)方法和从头算(ab initio)方法,研究了具有代表性的一系列分子的静电势,选择QCISD计算出的分子静电势为标准静电势,通过比较多种DFT法和QCISD从头算,以及它们之间的均方根偏差和静电势差值曲线图,结果表明B3LYP-DFT法与QCISD-ab initio法计算结果较吻合,暗示了B3LYP-DFT法在得到分子静电势时是一个有用的工具,尤其对于从头计算难以进行研究的大分子体系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	翟玉春	东北大学材料与冶金学院	596	6449	37.0	51.0
2	王东来	东北大学材料与冶金学院	24	58	5.0	7.0