原子层淀积Al2O3薄膜的热稳定性研究

• 作者: 丁士进 任杰 卢红亮 张卫 徐敏
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: Al2O3薄膜 原子层淀积(ALD) X射线光电子能谱(XPS)
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1217-1222
• 页数: 6页
• 分类号: O484|TN305
• 字数: 2026字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2006.05.031

摘要

以Al(CH3)3和H2O为反应源,在270℃下用原子层淀积(ALD)技术在Si衬底上生长了Al2O3薄膜.采用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、原子力显微镜(AFM)和傅立叶变换红外光谱(FTIR)等分析手段对Al2O3薄膜的热稳定性进行了研究.结果表明刚淀积的薄膜中含有少量Al-OH基团,高温退火后,Al-OH基团几乎消失,这归因于Al-OH基团之间发生反应而脱水.退火后的薄膜中O和Al元素的相对比例(1.52)比退火前的(1.57)更接近化学计量比的Al2O3.FTIR分析表明,在刚淀积的Al2O3中有少量的-CH3存在,-CH3含量会随热处理温度的升高而减少.此外,在高温快速热退火后,Al2O3薄膜的表面平均粗糙度(RMS)明显改善,900℃热退火后其RMS达到1.15nm.