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摘要:
介绍了激光诱导化学气相沉积法制备纳米氮化硅的工艺原理,通过增加正交紫外光束激励NH3分解,提高气相中n(N)/n(Si)比,从而减少产物中游离硅的浓度,制备出粒径7~15 nm的无团聚、理想化学剂量(n(N)/n(Si)=1.314)的非晶纳米氮化硅粉体.采用透射电子显微镜观察粉体形貌,并指出表面效应和量子尺寸效应导致粉体红外吸收光谱和拉曼光谱的"蓝移"和"宽化"现象.采用双光束激励的光诱导化学气相沉积法是制备高纯度纳米氮化硅粉体的理想方法.
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文献信息
篇名 激光法制备纳米氮化硅及其光谱特性研究
来源期刊 量子电子学报 学科 工学
关键词 光电子学 LICVD 氮化硅 双光束激发 红外吸收光谱 拉曼光谱
年,卷(期) 2006,(2) 所属期刊栏目 光电技术与材料
研究方向 页码范围 268-272
页数 5页 分类号 TN249
字数 3466字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1007-5461.2006.02.028
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 陈磊 中国科学院安徽光学精密机械研究所 65 345 10.0 15.0
2 黄永攀 中国科学院安徽光学精密机械研究所 14 82 6.0 8.0
3 浦坦 中国科学院安徽光学精密机械研究所 11 129 7.0 11.0
4 赵文武 中国科学院安徽光学精密机械研究所 14 1116 9.0 14.0
5 张为俊 中国科学院安徽光学精密机械研究所 95 610 14.0 19.0
6 郭晓勇 中国科学院安徽光学精密机械研究所 3 13 2.0 3.0
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26-89
1984
chi
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