低矫顽力GMR磁传感器的自旋阀结构研究

• 作者: 任天令 刘华瑞 刘理天 刘鹏 叶双莉 李伟
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 自旋阀 复合自由层 横向退火工艺
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 磁微纳器件与技术
• 页码范围: 2061-2064
• 页数: 4页
• 分类号: TP2
• 字数: 3728字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2006.05.198

摘要

采用高真空直流磁控溅射的方法,在玻璃衬底上制备了结构为Ta/free layer/Cu/CoFe/IrMn/Ta的IrMn顶钉扎自旋阀.研究了NiFe/CoFe和NiFeCr/CoFe分别作为复合自由层时,自旋阀的矫顽力特性.为了降低自旋阀的矫顽力,并保持高的磁电阻率(MR),采用NiFeCr/NiFe/CoFe作为自旋阀的复合自由层,得到的自旋阀的MR为10.08%,矫顽力为4.87×(103/4π)A/m.利用弱磁场下的横向退火工艺,此结构自旋阀的矫顽力可降至0.01×(103/4π)A/m以下.通过实施以上的优化方案,可以研制出高磁电阻率和低矫顽力的GMR传感器.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘理天	清华大学微电子学研究所	230	1519	19.0	23.0
2	任天令	清华大学微电子学研究所	87	600	13.0	19.0
3	刘鹏	清华大学微电子学研究所	47	601	12.0	24.0
4	李伟	清华大学微电子学研究所	88	760	15.0	23.0
5	刘华瑞	清华大学微电子学研究所	12	15	2.0	3.0
6	叶双莉	清华大学微电子学研究所	3	7	2.0	2.0