源气体流量比对a_C:F:N薄膜的影响

• 作者: 张云芳
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: 流量比 氮掺杂氟化非晶碳薄膜 拉曼光谱
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 611-613
• 页数: 3页
• 分类号: TB43|O484
• 字数: 2073字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-2812.2006.04.036

摘要

以CF4、CH4和N2的混合气体为源气体,利用rf-PECVD沉积技术制备了氮掺杂氟化非晶碳(a_C:F:N)薄膜,研究了源气体流量比对a_C:F:N薄膜沉积速率和结构的影响.用椭圆偏振光谱测试仪测量了薄膜厚度,结合沉积时间计算了薄膜的沉积速率(在18～21nm/min之间),随流量比增大,薄膜的沉积速率先升高后降低.FTIR光谱分析表明,随流量比增大,薄膜中含F量降低,交联结构增强.Raman光谱分析发现,薄膜中的碳原子由sp2和sp3两种组态的混合结构组成,并进一步证明,随流量比增大,薄膜中sp2键含量增加,交联程度增强.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张云芳	江苏科技大学数理学院	5	38	2.0	5.0