源气体对沉积的a-C∶F∶H薄膜结构的影响

• 作者: 叶超 宁兆元 杜伟 江美福 程珊华 许圣华 辛煜 陆新华 黄松
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氟化非晶碳膜 电子回旋共振化学气相沉积 红外吸收光谱
• 年，卷（期）: 2002,（8）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 1865-1869
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 2880字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.08.041

摘要

采用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(MWP ECR CVD)方法,使用不同的源气体(CHF3/CH4, CHF3/C2H2, CHF3/C6H6)体系制备了a-C∶F∶H薄膜.由于CH4 ,C2H2 ,C6H6气体在等离子体中的分解反应不同导致了薄膜的沉积速率和结构上的差异.红外吸收谱的结果表明,用C6H6/CHF3作为源气体沉积的薄膜中几乎不含H, 而用C2H2/CHF3所沉积的薄膜中的含氟量最高, 其相应的C-F 振动峰位向高频方向偏移.薄膜的真空退火结果表明,a-C∶F∶H薄膜的热稳定性除了取决于薄膜的CC键浓度外,还与CC键和其他键结构的关联有关,此外,源气体对薄膜的F/C比和相对介电常量也有重要的影响.