射频功率对a-C:F薄膜沉积速率和结构的影响

• 作者: 刘雄飞 周昕 张云芳 肖剑荣 高金定
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 电子技术 射频功率 a-C:F薄膜 沉积速率 结构
• 年，卷（期）: 2004,（10）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 14-16
• 页数: 3页
• 分类号: TM21
• 字数: 2457字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2004.10.006

摘要

用射频等离子体增强型化学气相沉积法制备了a-C:F薄膜,并研究了射频功率对a-C:F薄膜沉积速率和结构的影响.用椭偏仪测量了薄膜的厚度,并用红外谱(FITR)结合Raman谱研究了其结构的变化.结果表明:薄膜沉积速率在10～14 nm/min之间,主要含有CFx和C=C键.随射频功率的升高,沉积速率先增大后减小,CF3的含量迅速减小,CF和CF2的含量略有增加,薄膜中r(F/C)呈下降的趋势.在较高功率下沉积的薄膜中出现了由sp2和sp3混合微晶结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高金定	中南大学物理科学与技术学院	15	96	5.0	9.0
2	刘雄飞	中南大学物理科学与技术学院	63	517	13.0	21.0
3	肖剑荣	中南大学物理科学与技术学院	23	103	6.0	8.0
4	周昕	中南大学物理科学与技术学院	7	12	2.0	3.0
5	张云芳	中南大学物理科学与技术学院	5	13	2.0	3.0