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基于Si3 N4 薄膜的压力传感器
基于Si3 N4 薄膜的压力传感器
作者:
张博军
方震
曾欢欢
王奇
耿照新
赵湛
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
微机电系统
压力传感器
氮化硅
摘要:
采用微机电系统(MEMS)技术制造的传感器具有体积小、重量轻、成本低等特点.基于Si3N4压力敏感膜,利用MEMS技术,设计了一种用于测量气压的传感器.采用应变电阻原理对压力进行测量,进行了理论分析计算,设计了工艺过程,制作出了器件样片.这种压力传感器的显著优点是结构简单、工艺过程容易.并且,在50~100 kPa的压力条件下,对传感器进行了测试,其精度达到了0.5 %.
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压力传感器
内容分析
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文献信息
篇名
基于Si3 N4 薄膜的压力传感器
来源期刊
传感器与微系统
学科
工学
关键词
微机电系统
压力传感器
氮化硅
年,卷(期)
2006,(3)
所属期刊栏目
设计与制造
研究方向
页码范围
71-73
页数
3页
分类号
TP212
字数
1587字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1000-9787.2006.03.024
五维指标
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研究起点
研究来源
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相关学者/机构
期刊影响力
传感器与微系统
主办单位:
中国电子科技集团公司第四十九研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-9787
CN:
23-1537/TN
开本:
大16开
出版地:
哈尔滨市南岗区一曼街29号
邮发代号:
14-203
创刊时间:
1982
语种:
chi
出版文献量(篇)
9750
总下载数(次)
43
总被引数(次)
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