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摘要:
Photoelectron is the foundation of latent image formation, the decay process of photoelectrons is influenced by all kinds of trapping centres in silver halide. By analysing the mechanism of latent image formation it is found that electron trap, hole trap, and one kind of recombination centre where free electron and trapped hole recombine are the main trapping centres in silver halide. Different trapping centres have different influences on the photoelectron behaviour. The effects of all kinds of typical trapping centres on the decay of photoelectrons are systematically investigated by solving the photoelectron decay kinetic equations. The results are in agreement with those obtained in the microwave absorption dielectric spectrum experiment.
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文献信息
篇名 The influence of trapping centres on the photoelectron decay in silver halide
来源期刊 中国物理(英文版) 学科
关键词 silver halide electron trap recombination centre hole trap
年,卷(期) 2006,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 624-630
页数 7页 分类号
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