射频功率HBT热稳定性的一种新表征方法

• 作者: 张万荣 王扬 谢红云 邱建军 金冬月
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 异质结双极晶体管 热稳定因子 镇流电阻
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 页码范围: 1168-1171
• 页数: 4页
• 分类号: TN323
• 字数: 2549字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2006.04.046

摘要

从热电反馈网络角度出发,在考虑到晶体管发射极电流随温度的变化、发射结价带不连续性(△Ev)、重掺杂禁带变窄(△Eg)及基极和发射极加入镇流电阻(RB和RE)等情况下,首次较全面地给出了功率晶体管热稳定因子S表达式.用该表达式可以很方便、明了地对功率双极晶体管进行热稳定性分析.分析了镇流电阻对射频功率晶体管安全工作区以及S的影响.结果表明,功率异质结双极晶体管(HBT)热稳定性优于同质结双极晶体管(BJT),适当选取RB和RE可使S=0,使由器件本身产生的耗散功率而引起的自加热效应被完全补偿,器件特性得以保持,不因自热而产生漂移,这是同质结器件所无法实现的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王扬	北京工业大学电控学院	13	48	4.0	6.0
2	张万荣	北京工业大学电控学院	105	390	8.0	12.0
3	金冬月	北京工业大学电控学院	49	155	8.0	8.0
4	谢红云	北京工业大学电控学院	66	215	8.0	9.0
5	邱建军	北京工业大学电控学院	4	18	2.0	4.0