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摘要:
The investigation on the oxidation behaviour of Si1-xGex; alloys (x=0.05, 0.15, and 0.25) is carried out. It is found for the first time that on the oxide film a germanium nano-cap with a thickness of 1.8ranging from 5.5 nm to 10 nm are formed by the low-temperature laser-assisted dry oxidation of Si1-xGex substrate. A new scanning method on the decline cross-section of the multiple-layer sample is adopted to measure the layer thickness and the composition. Some new peaks in photoluminescence (PL) spectra are discovered, which could be related to the nano-cap and the nano-particles of germanium. A suitable model and several new calculating formulae with the unrestricted Hartree-Fock-Roothaan (UHFR) method and quantum confinement analysis are proposed to interpret the PL spectra and the nano-structure mechanism in the oxide.
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文献信息
篇名 Self-assembled germanium nano-structures by laser-assisted oxidation
来源期刊 中国物理(英文版) 学科
关键词 low-temperature oxidation laser-assisted nano-structure PL spectra
年,卷(期) 2006,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 389-393
页数 5页 分类号
字数 语种 英文
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laser-assisted
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中国物理B(英文版)
月刊
1674-1056
11-5639/O4
北京市中关村中国科学院物理研究所内
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