镨掺杂PZT二元系压电陶瓷性能研究

• 作者: 孙清池 徐明霞 王俐聪 陆翠敏
• 来源期刊: 稀有金属材料与工程
• 学科: 工学
• 关键词: 压电陶瓷 元素价态 相组成 显微结构 准同型相界
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 材料工艺
• 页码范围: 131-133
• 页数: 3页
• 分类号: TM282
• 字数: 2303字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-185X.2006.01.033

摘要

以固态氧化物为原料,采用传统方法制备镨掺杂PZT压电陶瓷.通过XPS,XRD以及SEM方法分析组成为Pb1-1.5xPrxZr0 54Ti0.46O3(x=0.02～0.08)压电陶瓷的元素价态,相组成以及显微结构.结果发现:合成温度900℃,可以得到钙钛矿结构.在镨掺杂为3 mol%的准同型相界附近三方相和四方相并存,综合性能达最佳值:ε33T/εo=2000,d33=418 pC/N,Kp=52.9%,Qm=75.随着镨掺杂量的增加,Pr-PZT陶瓷的居里温度降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐明霞		98	1316	19.0	31.0
2	孙清池		51	519	13.0	20.0
3	陆翠敏		20	126	7.0	10.0
4	王俐聪		6	24	4.0	4.0