低温烧结CuO改性PZT压电陶瓷性能研究

• 作者: 侯伟 李建华
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 压电陶瓷 低温烧结 氧化铜 压电性能
• 年，卷（期）: 2011,（8）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 16-19
• 分类号: TM28
• 字数: 2785字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2011.08.005

摘要

为了降低铅基压电陶瓷的烧结温度,采用传统固相法制备了CuO掺杂改性的Pb (Zr0.52Ti0.48)2O3 (PZT)二元压电陶瓷.研究了CuO掺杂对所制PZT陶瓷的结构和性能的影响.XRD显示随CuO掺杂量增加,特征峰向低角度移动,SEM显示烧结晶粒先增加后减小,CuO的加入促进了烧结.CuO和PbO生成低共熔物,使PZT陶瓷的烧结温度降至970℃,降低了250℃；掺杂质量分数0.4%的CuO时,PZT陶瓷的综合性能最优:密度为7.65 g/cm3,εr=1 645,tanδ=0.015,d33= 260 pC/N,kp=0.44,Qm= 1500.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李建华	中国人民武装警察部队学院科研部	98	777	11.0	26.0
2	侯伟		1	11	1.0	1.0