应变GaN量子点中激子态的研究

• 作者: 史俊杰 戴宪起 黄凤珍
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN量子点 激子结合能 自发极化和压电极化
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 130-135
• 页数: 6页
• 分类号: O472
• 字数: 1069字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2006.01.038

摘要

利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了约束在GaN/AlxGa1-xN圆柱形量子点中的激子特性与量子点的结构参数以及势垒层中Al含量之间的关系.结果表明:对给定大小的量子点,随其高度的增加激子结合能出现一最大值,此时载流子被最有效的约束在量子点内;内建电场使量子点的有效带隙减小,电子、空穴产生明显分离,从而影响量子点的光学性质.理论计算的光跃迁能和实验结果一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴宪起	河南师范大学物理与信息工程学院	42	133	6.0	9.0
2	黄凤珍	河南师范大学物理与信息工程学院	5	29	2.0	5.0
3	史俊杰	北京大学物理系	6	5	1.0	2.0