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二硅化钼涂层对碳化硅电热元件高温抗氧化性能的影响
二硅化钼涂层对碳化硅电热元件高温抗氧化性能的影响
作者:
林蓉
王天民
苏向东
郝维昌
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
二硅化钼涂层
碳化硅电热元件
高温抗氧化
摘要:
采用MoSi2粉末自烧结方法,在SiC电热元件表面制备一层致密的MoSi2高温抗氧化涂层,并对其高温抗氧化性进行测试.抗氧化试验在空气中1 500℃炉温下进行118 h和32次热循环,结果表明,带有MoSi2涂层的试样表面致密光洁,且试样抗氧化性能随MoSi2涂层厚度增加.SEM和EPMA显微分析表明,MoSi2涂层与SiC基体结合较好,没有起层和剥落,涂层中Mo分布均匀,损失约为20%.
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文献信息
篇名
二硅化钼涂层对碳化硅电热元件高温抗氧化性能的影响
来源期刊
稀有金属材料与工程
学科
工学
关键词
二硅化钼涂层
碳化硅电热元件
高温抗氧化
年,卷(期)
2006,(1)
所属期刊栏目
材料工艺
研究方向
页码范围
123-126
页数
4页
分类号
TQ174.5
字数
1153字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:1002-185X.2006.01.031
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
王天民
140
1545
22.0
32.0
2
郝维昌
44
459
11.0
20.0
3
苏向东
18
168
6.0
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林蓉
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研究主题发展历程
节点文献
二硅化钼涂层
碳化硅电热元件
高温抗氧化
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
稀有金属材料与工程
主办单位:
中国有色金属学会
中国材料研究学会
西北有色金属研究院
出版周期:
月刊
ISSN:
1002-185X
CN:
61-1154/TG
开本:
大16开
出版地:
西安市51号信箱
邮发代号:
52-172
创刊时间:
1970
语种:
chi
出版文献量(篇)
12492
总下载数(次)
15
总被引数(次)
83844
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