纳米C和SiC掺杂对MgB2带材超导性能的影响

• 作者: K. Watanabe 张现平 禹争光 闻海虎 马衍伟 高召顺
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: MgB2带材 C掺杂 SiC掺杂 临界电流性能
• 年，卷（期）: 2006,（9）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 4873-4877
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3491字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.09.080

摘要

采用X射线衍射仪,扫描电镜,超导量子干涉仪等仪器对纳米C和SiC掺杂的MgB2带材进行了表征,并采用标准四引线法对样品的临界电流进行了测试. 实验表明,C和SiC掺杂在提高MgB2带材高场下的临界电流密度方面具有显著效果. 在温度为4.2 K、磁场大于9 T条件下,C和SiC掺杂样品的临界电流密度与未掺杂样品相比均提高一个数量级以上. 掺杂样品高磁场下良好的临界电流性能主要归因于C对B的替代所产生的晶格畸变、位错等缺陷和局部成分变化而导致的有效晶内钉扎作用. 实验结果表明,SiC掺杂的MgB2带材之所以具有非常好的高场电流特性,和C掺杂的样品一样, C对B的替代起到十分关键的作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马衍伟	中国科学院电工研究所应用超导实验室	45	472	10.0	21.0
2	闻海虎	中国科学院物理研究所	19	103	7.0	9.0
3	禹争光	中国科学院电工研究所应用超导实验室	8	33	4.0	5.0
4	张现平	中国科学院电工研究所应用超导实验室	11	35	3.0	4.0
5	高召顺	中国科学院电工研究所应用超导实验室	13	46	4.0	6.0
6	K. Watanabe		1	8	1.0	1.0