一种CMOS工艺兼容的PMOS管红外探测器

• 作者: 于峰崎 王明照 高淑琴
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 红外探测器 CMOS工艺 MOSFET 温度效应
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 光微纳器件
• 页码范围: 1717-1720
• 页数: 4页
• 分类号: TN2
• 字数: 2263字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2006.05.107

摘要

二极管连接的MOS管以恒定电流偏置时,栅源电压与温度成线性关系.其温度变化率与偏置电流和MOS管的宽长比等因素有关.对此做理论分析的基础上,用Hspice进行了仿真.当取偏置电流为60μA,MOS管的宽长比为2/2时,仿真得到的栅源电压温度变化率为2.13 mV/K.基于此温度特性,提出用PMOS管作为红外探测敏感元件,利用标准CMOS工艺,结合体硅加工技术制作红外探测器的方法,并将PMOS管串联以进一步增加探测器的灵敏度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高淑琴	吉林大学物理学院	38	208	9.0	12.0
2	于峰崎		3	11	2.0	3.0
3	王明照	吉林大学物理学院	1	2	1.0	1.0