位置涨落对DNA分子电子结构的影响

• 作者: 傅雪 刘德胜 宋骏 解士杰 高绪团
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: DNA 涨落 带隙 电子态
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 952-956
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3075字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.02.085

摘要

在紧束缚模型基础上,研究了位置涨落对碱基对周期排列的有序DNA分子的能带结构和电子态的影响,并分析了DNA分子的导电性.计算发现:随涨落的增强,带隙变小,同时,电子态倾向于局域化.室温下DNA分子的导带底电子态将呈现出较强的局域行为,因此,即使对有序排列的DNA分子,带输运理论在室温下也可能不再适用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘德胜	山东大学物理与微电子学院晶体材料国家重点实验室	56	467	13.0	20.0
2	解士杰	山东大学物理与微电子学院晶体材料国家重点实验室	47	160	7.0	9.0
3	高绪团	山东大学物理与微电子学院晶体材料国家重点实验室	8	96	6.0	8.0
7	傅雪	山东大学物理与微电子学院晶体材料国家重点实验室	1	4	1.0	1.0
8	宋骏	山东大学物理与微电子学院晶体材料国家重点实验室	5	15	3.0	3.0