β-Si3N4电子结构和光学性质的第一性原理研究

• 作者: 周海平 徐明 潘洪哲 祝文军
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: β相氮化硅 电子结构 能带结构 光学性质
• 年，卷（期）: 2006,（7）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 3585-3589
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3598字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.07.064

摘要

采用基于密度泛函的平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA),计算了β相氮化硅(β-Si3N4)的电子结构和光学性质,得到的晶格常数、能带结构等均与实验结果较好符合.进一步还研究了β-Si3N4的光吸收系数以及禁带宽度随外压力的变化规律,为β-Si3N4材料在高压条件下的应用提供了理论参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐明	四川师范大学物理与电子工程学院固体物理研究所	17	78	6.0	8.0
3	祝文军	四川师范大学物理与电子工程学院固体物理研究所	30	189	8.0	12.0
5	潘洪哲	四川师范大学物理与电子工程学院固体物理研究所	2	21	2.0	2.0
10	周海平	四川师范大学物理与电子工程学院固体物理研究所	4	49	3.0	4.0