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摘要:
目的 本研究通过绘制TE缓冲液的伏安曲线和电流-时间曲线,对芯片内TE缓冲液的伏安特性和稳定性进行了讨论.方法 对高场强下TE缓冲液体系的电流变化进行监测.结果 在本实验加电压范围之内(0~5 000V),不同pH值的TE缓冲液在同一芯片上均显示出良好的伏安线性;在连续高场强的作用下,随着加压时间的延长,两种不同pH值的缓冲液的电流均显示出了相同的变化趋势:即在经过了一定的稳定期后,电流急速下降后又急速上升,且极不稳定.结论 在以电渗流为驱动的芯片系统中,选用TE缓冲体系有着巨大的优势.另外,长时间的连续施加高电压可能会使通道内的液体性质发生改变,继而影响其内发生的生物化学反应.
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文献信息
篇名 生理缓冲液应用于微流控芯片分析系统中的电学特性的研究
来源期刊 重庆医学 学科 医学
关键词 微流控芯片 电渗流 伏安特性 稳定性 TE缓冲液 V-I曲线 I-T曲线
年,卷(期) 2006,(20) 所属期刊栏目 论著
研究方向 页码范围 1872-1874
页数 3页 分类号 R446
字数 2941字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1671-8348.2006.20.022
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张惠静 第三军医大学医学检验系分析化学教研室 36 199 8.0 12.0
2 毕颖楠 第三军医大学医学检验系分析化学教研室 5 39 3.0 5.0
3 管潇 第三军医大学医学检验系分析化学教研室 17 74 5.0 8.0
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研究主题发展历程
节点文献
微流控芯片
电渗流
伏安特性
稳定性
TE缓冲液
V-I曲线
I-T曲线
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
重庆医学
半月刊
1671-8348
50-1097/R
大16开
重庆市渝北区宝环路420号
78-27
1972
chi
出版文献量(篇)
30732
总下载数(次)
32
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193615
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