LaNiO3底电极上Bi4Zr0.5Ti2.5O12薄膜的制备及性能

• 作者: 于军 于本方 刘军 李美亚 杨斌 王耘波 裴玲 赵兴中 郭冬云
• 来源期刊: 中国科学E辑
• 学科: 工学
• 关键词: Bi4Zr0.5Ti2.5O12薄膜 Sol-gel法 LaNiO3底电极 铁电性能
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 667-673
• 页数: 7页
• 分类号: TM91
• 字数: 2268字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1006-9275.2007.05.009

摘要

利用Sol-gel法在p-Si(111)衬底上制备了LaNiO3底电极,再利用Sol-gel法在LaNiO3底电极上制备出Bi4Zr0.5Ti2.5O12(BZT)铁电薄膜,对其微观结构和电学性能进行了研究.利用X射线衍射仪、原子力显微镜和扫描电镜观测其微观结构,发现制备的BZT薄膜具有单一的钙钛矿晶格结构,并且薄膜表面晶粒尺寸均匀,结晶情况良好.对Pt/BZT/LaNiO3电容结构进行了铁电性能研究,在测试电压为25 V时,2Pr和2Vc分别达到28.2 μC/cm2和14.7 V;经过1×1010次极化反转后,剩余极化值下降了大约13%;室温下,在测试频率1 kHz时,薄膜的介电常数为204,介电损耗为0.029;漏电流测试显示制备的BZT薄膜具有良好的绝缘性能;C-V曲线为顺时针方向回滞,存储窗口大约为3.0 V,C-V特性测试显示这种Pt/BZT/LaNiO3结构有望实现极化型存储.