一种适应PVT偏差的4GHz双重反馈环形振荡器

• 作者: 任俊彦 叶凡 李宁 郑增钰 陆平 黄冲
• 来源期刊: 复旦学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS集成电路 环形振荡器 相位噪声 频率综合器
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 页码范围: 70-75
• 页数: 6页
• 分类号: TN75
• 字数: 3302字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0427-7104.2007.01.012

摘要

在分析传统环形振荡器的基础上,设计了一种新型高频、低噪声环形振荡器.采用改进的全开关状态的延时单元和双重反馈环结构,克服了传统环形振荡器振荡频率低、噪声性能差的缺点,可以有效抑制PVT(Process Voltage Temperature)偏差对频率的影响.采用TSMC 0.18 μm CMOS工艺参数,电源电压1.8 V,功耗为37.5 mW.仿真得到在振荡器中心频率为4 GHz时的单边带相位噪声为95.6 dBc/Hz@1 MHz.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	任俊彦	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	116	450	11.0	14.0
2	李宁	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	70	304	9.0	13.0
3	叶凡	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	53	115	6.0	7.0
4	陆平	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	8	34	3.0	5.0
5	郑增钰	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	19	154	6.0	12.0
6	黄冲	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	1	3	1.0	1.0