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摘要:
主要是以氧化镓为原料,通过气相沉积法,制备出GaN纳米线和纳米带.通过X-射线衍射(XRD),扫面电镜(SEM)和高分辨透射电镜(HRTEM)等测试手段对其形貌进行了表征和分析.研究了实验过程中工艺条件的改变对所制备GaN纳米结构形貌特征的影响.对两种GaN纳米材料的拉曼散射光谱进行了分析.
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文献信息
篇名 氮化镓低维纳米结构的制备与表征
来源期刊 山东大学学报(工学版) 学科 化学
关键词 氮化镓 低维纳米结构 表征
年,卷(期) 2007,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 10-14
页数 5页 分类号 O611
字数 4038字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1672-3961.2007.01.003
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 吴佑实 山东大学材料科学与工程学院 37 447 14.0 20.0
2 吕伟 山东大学材料科学与工程学院 19 152 7.0 11.0
3 吴莉莉 山东大学材料科学与工程学院 22 250 10.0 15.0
4 邹科 山东大学材料科学与工程学院 6 159 5.0 6.0
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研究主题发展历程
节点文献
氮化镓
低维纳米结构
表征
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
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相关学者/机构
期刊影响力
山东大学学报(工学版)
双月刊
1672-3961
37-1391/T
大16开
济南市经十路17923号
24-221
1956
chi
出版文献量(篇)
3095
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14
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24236
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