CdTe太阳电池组件的关键技术研究

• 作者: 冯良桓 张静全 李卫 武莉莉 蔡亚平 蔡伟 郑家贵 雷智 黎兵
• 来源期刊: 中国科学E辑
• 学科: 工学
• 关键词: CdTe 太阳电池组件 C-V特性曲线
• 年，卷（期）: 2007,（7）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 875-880
• 页数: 6页
• 分类号: TM91
• 字数: 3182字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1006-9275.2007.07.004

摘要

采用化学水浴法沉积CdTe太阳电池的n型窗口层CdS多晶薄膜, 用近空间升华法制备吸收层CdTe薄膜. 为了获得优质的背接触, 对退火后的CdTe薄膜用湿化学法腐蚀一富Te层, 然后沉积背接触层. 结果表明:具有ZnTe/ZnTe: Cu 复合层的太阳电池性能优于其他背接触结构的电池. 最后, 采用激光刻蚀和机械刻蚀相结合, 制备了glass/SnO2:F/CdS/CdTe/ZnTe/ZnTe:Cu/Ni太阳电池小组件, 其中一个CdTe太阳电池小组件的效率达到了7.03% (开路电压Voc = 718.1 mV, 短路电流Isc = 98.49 mA, 填充因子53.68%, 面积54 cm2) (由中国科学院太阳光伏发电系统和风力发电系统质量检测中心测量).