常压下MOCVD法制备Al2O3薄膜工艺的研究

• 作者: 刘炯 孙启凤 温吉利 罗小秋
• 来源期刊: 中国表面工程
• 学科: 工学
• 关键词: 化学气相沉积 氧化铝 沉积速率 薄膜
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 技术应用
• 页码范围: 47-50
• 页数: 4页
• 分类号: TG174.444
• 字数: 2616字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1007-9289.2007.03.011

摘要

在常压条件下,采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统在Fe-Cr-Ni合金基片上沉积Al2O3薄膜.以仲丁醇铝(ASB)为原料,纯氮为载气,研究基片温度、ASB温度和载气流量对沉积速率的影响.采用EDS、SEM技术对Al2O3薄膜的组成进行分析.研究表明,ABS温度为125 ℃的工艺条件下,薄膜厚度为500 μm,结合强度是梯度涂层(NiAl和Al2O3的梯度沉积)的结合强度的两倍.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗小秋	华东理工大学化工机械研究所	7	52	5.0	7.0
2	孙启凤	华东理工大学化工机械研究所	5	41	5.0	5.0
3	温吉利	华东理工大学化工机械研究所	3	14	2.0	3.0