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摘要:
介绍了Samsung公司生产的NAND Flash K9F1208的特性:存储结构为528 字节×32 页×4096块,工作电压为2.7~3.6 V,可实现页的读取、写入、擦除等操作;结合时序讨论了K9F1208的页读取/页写入操作模式;分析了单片机DS87C520的特点:高速,双数据指针,13个中断源,电源电压下降自动复位,可编程看门狗定时器;给出了K9F1208与DS87C520的硬件连接、程序框图和部分程序代码.提出了任何一款数据总线宽度在8位及8位以上的计算机系统都能使用K9F1208的方法,从而实现大容量存储系统的扩展.
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文献信息
篇名 K9F1208在DS87C520单片机系统中的应用
来源期刊 武汉工程大学学报 学科 工学
关键词 NAND Flash DS87C520单片机 接口
年,卷(期) 2007,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 71-75
页数 5页 分类号 TP333
字数 2519字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1674-2869.2007.03.020
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 赵振华 武汉工程大学电气信息学院 29 197 7.0 13.0
2 刘芳 武汉工程大学电气信息学院 12 59 6.0 7.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
NAND Flash
DS87C520单片机
接口
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
武汉工程大学学报
双月刊
1674-2869
42-1779/TQ
大16开
武汉市江夏区流芳大道特1号,武汉工程大学流芳校区,西北区1号楼504学报编辑部收
1979
chi
出版文献量(篇)
3719
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13
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21485
论文1v1指导