负性含氟液晶材料的电子轰击质谱分析

• 作者: 唐洪 杨增家 闫凌
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 负性含氟液晶 侧向氟取代液晶 质谱 质谱裂解机理
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 146-150
• 页数: 5页
• 分类号: TN104.3
• 字数: 3291字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2007.02.008

摘要

利用气质联用对3类6个系列共15种负性含氟液晶化合物进行了电子轰击源(EI)质谱分析,总结了3类负性含氟液晶化合物的质谱裂解规律,并阐述了某些化合物的质谱裂解途径.其中,烷基双环己烷二氟取代苯甲醚液晶化合物的特征离子主要是为环己烷取代基开环的裂解碎片,其m/z主要为226、183、157等;烷基环己基烷氧基三氟取代联苯液晶化合物的特征碎片为环己烷开环碎片及氟取代苯环掉氟的碎片,其m/z主要为(246+A)、(223+A)、(220+A)和(207+A)等(A为15或17);四氟取代联苯酚酯类液晶化合物的特征离子为酯基断裂的碎片和氟取代苯环掉氟产物,其m/z 为272或271、229、200、180等.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐洪	清华大学化学系	16	77	5.0	8.0
2	杨增家	清华大学化学系	4	25	3.0	4.0
3	闫凌	清华大学化学系	1	5	1.0	1.0