电子轰击下MgO薄膜的二次电子效应的衰减机理

• 作者: 付马龙 吴胜利 张劲涛 李洁 胡文波 魏强
• 来源期刊: 西安交通大学学报
• 关键词: MgO薄膜 二次电子发射 介质薄膜 衰减机理
• 年，卷（期）: 2017,（11）
• 页码范围: 125-129
• 页数: 5页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文
• DOI: 10.7652/xjtuxb201711017

摘要

以MgO薄膜、MgO/Au复合薄膜作为二次电子发射材料的研究对象,利用持续电子束轰击薄膜的方式,研究了二次电子效应与时间的变化规律.通过测试样品时间的指数衰减,电导率和介电常数对衰减速率的影响,建立模型假设来研究二次电子发射的机理,提出了潜在电子的概念及平板电容模型;以此模型为基础进行分析推导,建立了二次电子发射过程理论模型,得出了诱导电流和二次电子发射系数实验值的表达式,与实际样品测试结果的趋势一致,二次电子发射材料性能的衰减速率与薄膜电导率正相关,验证了所提理论模型能很好地解释介质薄膜二次电子发射的衰减机理,有助于提高二次电子发射材料的衰减性能,为改进工艺和研发新型介质薄膜材料提供了一定的理论指导.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡文波	西安交通大学物理电子物理与器件教育部重点实验室	32	92	5.0	7.0
2	吴胜利	西安交通大学物理电子物理与器件教育部重点实验室	46	216	9.0	12.0
3	张劲涛	西安交通大学物理电子物理与器件教育部重点实验室	19	54	4.0	6.0
4	李洁	西安交通大学物理电子物理与器件教育部重点实验室	30	90	6.0	8.0
5	魏强	西安交通大学物理电子物理与器件教育部重点实验室	10	36	4.0	5.0
6	付马龙	西安交通大学物理电子物理与器件教育部重点实验室	1	2	1.0	1.0