质子束轰击金属靶面的二次电子效应的模拟研究

• 作者: 孟晓慧 董志伟
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 物理学
• 关键词: 粒子云网格 紧凑型中子管 质子束 二次电子 加速区间
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 所属期刊栏目: 粒子束技术
• 页码范围: 122-126
• 页数: 5页
• 分类号: O45
• 字数: 2197字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11884/HPLPB201830.170498

摘要

基于粒子云网格计算方法,对质子束轰击靶面产生二次电子的效应进行了模拟研究,得到了不同电场强度对质子束的品质以及其产生的二次电子的数量的影响.研究表明,50 kV电压下,质子束束腰宽度1.8 mm,并有近 10%的质子束打在阴极侧壁上;150 kV电压下,质子束束腰宽度 1.2 mm.这说明,抽取电场强度小时质子束分散,其束流品质下降;抽取电场强度大时质子束紧凑.通过调控抽取、加速电压,可以有效地控制到靶质子流的聚散状况,以及由此产生的二次电子的强度及分布.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董志伟		111	478	10.0	12.0
2	孟晓慧		2	0	0.0	0.0