二次电子对离子束流品质影响的动态研究

• 作者: 孟晓慧 董志伟
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 物理学
• 关键词: 粒子云网格 外电路模型 紧凑型中子管 氘离子束 二次电子
• 年，卷（期）: 2018,（11）
• 所属期刊栏目: 粒子束技术
• 页码范围: 112-116
• 页数: 5页
• 分类号: O45
• 字数: 2891字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11884/HPLPB201830.180135

摘要

基于粒子云网格的计算方法,建立了具有外电路的加速系统模型,模拟了氘离子束轰击靶面产生二次电子的过程,动态地分析了二次电子的产生对离子加速电压的影响以及对氘离子束束流品质和氘离子束轰击靶面能量的影响.结果表明,当有0.06 A的二次电子电流产生时,离子加速电压将会下降45％,从而导致氘离子束束流品质下降,参与氘氚反应的氘离子数减少,相应的氘离子束轰击靶面的能量下降43.8％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董志伟		111	478	10.0	12.0
2	孟晓慧		2	0	0.0	0.0