采用收拢式表面的二次电子发射抑制策略

• 作者: 刘纯亮 封国宝 崔万照 李军
• 来源期刊: 西安交通大学学报
• 关键词: 收拢表面 二次电子 微放电 数值模拟
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 页码范围: 128-134
• 页数: 7页
• 分类号: O462.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.7652/xjtuxb201704020

摘要

针对二次电子谐振倍增引起的微放电效应导致微波部件传输性能降低的现象,提出了一种能显著抑制二次电子的收拢式微陷阱表面结构.首先,通过分类处理弹性背散射、非弹性背散射以及真二次电子出射概率得到平整表面的总二次电子出射特性;然后,采用粒子模拟的方法跟踪二次电子在收拢式陷阱结构内的级联再入射过程,获得收拢式陷阱结构对二次电子的抑制特性,从而得到收拢式表面结构对不同类型出射电子的抑制效果和二次电子能谱变化趋势,以及表面结构参数对二次电子发射特性和微放电品质因子的影响规律.仿真结果表明:收拢式表面使得二次电子产额在各个能量段整体下降,对应的二次电子能谱呈现更集中的趋势.收拢式结构中的矩形宽度对二次电子的影响呈先减小后增加趋势,而矩形深度能呈线性地提高微放电的品质因子.这种收拢式结构的椭圆水平轴长在最优的情况下比相同孔隙率和深宽比矩形陷阱结构对二次电子发射的抑制效果提高21.2％,同时使微放电品质因子提升24.97％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘纯亮	西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室	124	527	9.0	16.0
2	崔万照	中国空间技术研究院西安分院国家级空间微波技术重点实验室	43	169	8.0	11.0
3	李军	中国空间技术研究院西安分院国家级空间微波技术重点实验室	16	48	4.0	6.0
4	封国宝	中国空间技术研究院西安分院国家级空间微波技术重点实验室	4	6	2.0	2.0