基于ZnO阵列的银表面二次电子发射抑制技术

• 作者: 崔万照 张永辉 曹猛 胡天存 马建中 鲍艳
• 来源期刊: 中国空间科学技术
• 学科: 工学
• 关键词: 微放电 二次电子发射系数 ZnO阵列 陷阱结构 抑制
• 年，卷（期）: 2017,（2）
• 所属期刊栏目: 二次电子发射抑制
• 页码范围: 54-60
• 页数: 7页
• 分类号: TG178
• 字数: 4455字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16708/j.cnki.1000-758X.2017.0034

摘要

随着卫星有效载荷的射频功率越来越大,传统的微放电抑制方法已经无法满足大功率卫星有效载荷的需求.降低大功率射频部件内表面的二次电子发射系数是抑制微放电效应的重要方法之一,通过在金属银表面构造纳米量级ZnO阵列,实现了纳米尺度银陷阱结构的制备,研究了晶种制备方式、锌盐浓度对ZnO阵列生长的影响.结果表明,采用紫外照射法制备晶种获得的ZnO阵列在样片表面分布均匀,提高锌盐浓度可改善ZnO阵列的分布均匀性.分析了ZnO阵列排列密度对银膜构筑的影响,发现在低密度的ZnO阵列上更加容易镀覆金属银.因此,获得了镀银表面基于ZnO阵列的陷阱结构制备的工艺技术,实现金属银表面二次电子发射系数最大值降低36.3%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马建中	陕西科技大学轻工科学与工程学院	295	2193	21.0	29.0
2	鲍艳	陕西科技大学轻工科学与工程学院	81	709	13.0	22.0
3	曹猛	西安交通大学电子与信息工程学院电子物理与器件教育部重点实验室	25	109	6.0	9.0
4	胡天存	西安交通大学电子与信息工程学院电子物理与器件教育部重点实验室	13	75	4.0	8.0
6	张永辉	陕西科技大学轻工科学与工程学院	5	30	2.0	5.0