微孔阵列铜表面二次电子发射系数抑制研究

• 作者: 叶鸣 崔万照 张忠兵 王泽卫 贺永宁 陈亮
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 物理学
• 关键词: 二次电子抑制 微孔阵列 Casino 模拟 铜
• 年，卷（期）: 2016,（12）
• 所属期刊栏目: 粒子束技术
• 页码范围: 124002-1-124002-7
• 页数: 1页
• 分类号: O462.2
• 字数: 4776字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11884/HPLPB201628.160079

摘要

针对微孔阵列对铜表面二次电子发射系数（SEY）的抑制效应进行实验研究以提高电真空器件性能。首先利用 Casino 软件模拟了入射能量分别为0．5 keV 和3 keV 的电子束垂直入射到方形微孔阵列表面的 SEY，分析了方孔阵列的深宽比和孔隙率对本征二次电子发射系数（ISEY）、背散射二次电子发射系数（BSEY）及总二次电子发射系数（TSEY）的影响。然后采用半导体光刻工艺在铜箔表面制备具有不同形貌参数的圆孔阵列，采用激光扫描显微镜进行形貌分析和几何结构参数提取，采用二次电子测试平台进行 TSEY测试。仿真结果表明：微孔阵列的深宽比、孔隙率越大，其 SEY 抑制特性越明显；随着微孔阵列深宽比逐渐增大，SEY 逐渐趋于饱和；入射电子束能量较低时，微孔阵列对 SEY 抑制效应比入射能量较高时更为明显。实验结果表明：微孔阵列能有效抑制铜表面 SEY，实测结果与仿真结果规律一致，为微孔阵列结构用于铜表面 SEY抑制提供了依据。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	贺永宁	西安交通大学电子与信息工程学院	58	265	9.0	12.0
2	陈亮	西北核技术研究所辐射探测科学研究中心	29	40	3.0	4.0
3	张忠兵	西北核技术研究所辐射探测科学研究中心	47	186	8.0	11.0
4	崔万照	中国空间技术研究院西安分院空间微波技术国防科技重点实验室	43	169	8.0	11.0
5	叶鸣	西安交通大学电子与信息工程学院	22	99	6.0	9.0
6	王泽卫	西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院	1	1	1.0	1.0