二次电子发射对质子束流测量精度的影响

• 作者: 刘军 刘林月 刘金良 叶鸣 张忠兵 欧阳晓平 贺永宁 阮金陆 陈亮
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 二次电子发射 二次电子产额 高能质子 铜箔
• 年，卷（期）: 2014,（9）
• 所属期刊栏目: 粒子束技术
• 页码范围: 239-243
• 页数: 5页
• 分类号: TL8
• 字数: 3304字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11884/HPLPB201426.094004

摘要

二次电子发射直接影响法拉第探测器测量质子束流的精度,减小或消除二次电子发射的影响是提高束流测量精度的关键.根据二次电子补偿原理设计了二次电子补偿型同轴法拉第探测器,实验发现探测器测量质子束流强度时不能完全实现二次电子补偿.为改进和完善探测器的设计,从理论上分析了补偿片未能完全消除二次电子对束流测量影响的原因,是由于补偿片前向发射二次电子数目大于收集极后向发射二次电子数目所致.为此设计了质子束穿过金属箔发射二次电子测量装置,测量得到能量为5～10 MeV质子穿过10 μm厚铜箔时前向与后向发射二次电子产额,验证了理论分析的正确性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	贺永宁	西安交通大学电子与信息工程学院	58	265	9.0	12.0
2	陈亮		29	40	3.0	4.0
3	欧阳晓平		99	283	9.0	11.0
4	张忠兵		47	186	8.0	11.0
5	叶鸣	西安交通大学电子与信息工程学院	22	99	6.0	9.0
6	刘林月		15	21	3.0	4.0
7	刘金良		16	10	2.0	2.0
8	阮金陆		7	4	1.0	1.0
9	刘军		4	11	1.0	3.0